第1019章 透视历史（4 / 8）

，并开始采用照相制版、光刻工艺。

1963年，华夏研制成功第一支半导体激光器，是全球第二个具备这种能力的国家——仅仅比米国晚了一年。

1965年，华夏研制成功第一个硅基集成电路样品gt31，这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容，相比米国晚7年。

1966年，109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，这与米国的gca公司几乎同时。

也在这一年，ibm公司托马斯·沃森研究中心的研究人员，时年34岁的罗伯特·登纳德博士提出了用金属氧化物半导体（mos）晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功1t/1c结构（一个晶体管加一个电容）的dram，并在1968年获得专利。1968年仙童半导体推出首个256bit dram；1969年先进内存系统公司正式推出全球首款1k dram。

还是在这一年，华夏科学院半导体研究所制作出第一支硅mos场效应晶体管；在江南省，南通晶体管厂成立，并在经过50多年的发展后，成长为国际半导体芯片行业封测巨头之一，也就是后来的通富微电，上市后股票代码002156。

1968年，从仙童出走的“三巨头”创立了英特尔公司，如果没有谭振华的乱入，它将成长为全球最大的，同时具备设计和生产半导体芯片能力的科技巨擘；而在华夏的这一年，魔都无线电十四厂研制成功首个pmos电路（mos ic），拉开了华夏发展mos电路的序幕，还是在这一年，华夏永川半导体研究所正式成立，这是华夏唯一的模拟集成电路研究所，后来，这家研究所发展成为电子部4024研究所。

1969年，华夏国营永红器材厂（749厂）成立，1995年整体调迁至天水，多年后，它将成长为另一家国际封测巨头